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祝进田; 胡礼中; 刘式墉;
长春光电子学国家重点联合实验室;
InGaAsP; 量子阱; 化学汽相沉积;
机译:使用应变补偿层的新型极化不敏感的1.55-μmInGaAsP-InGaAsP多量子阱电吸收调制器
机译:弛豫振荡频率和阻尼K因子对1.55μmInGaAsP DFB激光器中量子阱数量的依赖
机译:GaAs(001)衬底上BGaAsSb厚层和BGaAsSb / GaAs量子阱结构的LP-MOCVD生长
机译:通过LP-MOCVD生长的高性能1.3um和1.55um InGaAsP / InP应变层量子阱激光器
机译:λ= 1.55微米铟磷化铟镓/磷化铟激光结构中的介电增强量子阱混合。
机译:通过分子束外延在Si(100)上生长的GaAs / GaInAs核-多量子阱壳纳米线结构的室温光致发光的观察和可调性
机译:1.5μmInGaasp多量子阱分布反馈掩埋异质结构激光器的非选择性再生长
机译:最佳生长条件下分子束外延生长的III-V量子阱结构传输和光学性质的实验研究
机译:激光发射系统,异质结构和有源区域,包括耦合的子量子阱,用于1.55微米的激光发射
机译:激光发射系统,具有耦合量子阱的异质结构和有源区,用于1.55 mm激光发射
机译:具有耦合量子阱的激光发射系统,异质结构和有源区,并用于1.55毫米激光发射
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