Ka频段单片低噪声放大器设计

摘要

设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC，该芯片采用两级放大的结构，通过调节有源器件几何尺寸（栅宽和叉指数）和源极串联负反馈，减小最佳噪声匹配点（Гo）和共轭匹配点（S11）之间的距离，使低噪声放大器同时获得最佳噪声匹配和共轭匹配。另一方面，在源极引入串联负反馈可提高放大器的稳定性。该放大器采用商用的0．181μm pHEMT工艺制造，芯片面积为1．4×0．9mm^2。把该芯片安装在测试电路上进行测试，在29～33GHz频率范围内，实现增益大于10dB，30GHz处噪声系数约为2．3dB。