高重复率下硅酸镓镧电光晶体压电特性有限元分析

摘要

介绍了在高重复率高电压的载荷下,以硅酸镓镧为例的电光晶体的压电特性。建立了电光晶体的有限元模型,并基于有限元数值方法,模拟分析了在固定和自由边界条件下硅酸镓镧晶体由逆压电效应产生的应变及应力。结果表明:自由边界条件下的晶体形变是呈线性变化的;固定边界条件下晶体有明显的位移变化,且其形变相对于晶体中心处呈对称分布,由于加在晶体的电压数值分布不同,晶体周围区域比中心区域的形变更为严重。晶体在自由边界条件下产生的应力远远小于固定边界条件下产生的应力。