介质谐振器稳频晶体管振荡器 第四讲 振荡器电路设计

摘要

介质谐振器稳频晶体管振荡器(TDRO)结构简,体积小,成本低。它可用砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)或双极型晶体管来实现。GaAsFET振荡器的最高振荡频率大于双极型管振荡器。已报导的振荡频率前者可高达60GHz,而后者则极难超过10GHz。噪声性能方面则双极型管振荡器较好,其近载频调频噪声一般比GaAsFET振荡器低6～10dB。本讲将要引用的实例均采用GaAsFET器件,但有关分析与设计方法则对两种晶体管振荡器均适用。原则上介质谐振器稳频MIC振荡器可采用两种类型的电路来实现: (1)DR作为一无源稳频元件以适当方式耦合于晶体管自由振荡器。称为“dielectrically stabilized oscillator”。常见的这类DRO是带阻滤波器加载型。