SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究

摘要

以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结（以下简称SPS）,制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30％～40％（质量分数,下同）之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低.