AIN-SiC复合陶瓷的微波衰减性能

摘要

以氮化铝,纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1600℃,30MPa,保温5min,放电等离子体烧结(SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷。利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284ALRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析。结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在93％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5Si3,随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加,SiC含量在30％-40％wt之间,1MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3。表明纳米SiC具有较强的吸波性能。相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低。