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卢盛辉; 杜江锋; 靳翀; 周伟; 杨谟华;
电子科技大学微电子与固体电子学院;
铝镓氮/氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 电流崩塌; 表面态; 阶跃脉冲;
机译:以Al_2O_3为栅介质的AlGaN / GaN基HEMT和MIS-HEMT的比较研究
机译:帽栅AlGaN / GaN HEMT功率器件的实验和仿真
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的无栅FET pH传感器HEMT结构
机译:紫外激光辅助三维原子探针分析alGaN / GaN HEmT的可行性研究。
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:绝缘栅AlGaN / GaN HEMT
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