基片偏压对MCECR溅射硬碳膜特性的影响

蔡长龙; 刁东风; 三宅正司; 松本武

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基片偏压对MCECR溅射硬碳膜特性的影响

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采用封闭式电子回旋共振(MCECR)氩等离子体溅射碳靶的方法在硅片上沉积了高质量的硬碳膜,膜层厚度约40nm. 使用X射线光电子能谱仪(XPS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析了碳膜结构,并用POD摩擦磨损仪测试了碳膜的摩擦磨损特性,用纳米压入仪测试了碳膜的纳米硬度.详细研究了基片偏压对碳膜的结构、摩擦磨损特性以及纳米硬度的影响,得到了最佳基片偏压.

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来源
《光子学报》|2005年第5期|734-736|共3页
作者
蔡长龙; 刁东风; 三宅正司; 松本武;
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作者单位

西安工业学院光电工程学院;

西安交通大学机械工程学院;

大阪大学熔接研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
MCECR溅射; 硬碳膜; 摩擦特性; 纳米硬度; 薄膜结构;

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