LiNbO_3晶体的坩埚下降法生长

摘要

通过选择合适的原料配比(Li_2O 48.6mol％,Nb_2O_5 51.4mol％),控制固液界面处的温度梯度为20～40℃/cm,晶体生长速度为0.6～1.5mm/h,采用密闭条件下的坩埚下降法工艺成功地生长出了具有良好光学均匀性的完整LiNbO_3单晶。用X射线粉末衍射表征获得的LiNbO_3晶相,讨论了若干工艺条件对晶体组分与质量的影响。测定了未密闭条件下生长的LiNbO_3晶体不同部位样品的紫外可见光谱,发现其吸收边沿生长方向发生红移,并讨论了产生此现象的原因。