一种高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

摘要

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理,并提出了一个工作频率为1.8GHz,输出功率为26dBm,漏极效率达到66.5%的低谐波失真BiCMOS功率放大器,为了达到设计目标,文章采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和交叉耦合反馈结构。最后用0.35μm SiGeBiCMOS工艺实现了E类射频功率放大器的设计。