退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
邓志杰;
北京有色金属研究总院;
晶体生长; 微管道缺陷; 碳化硅;
机译:无微管4H-SiC在4H-SiC {0 3(3)上方8}晶种和高纯度半绝缘6H-SiC上的晶体生长
机译:用于高速预测机器学习的晶体生长的自适应过程控制:SiC溶液生长的应用
机译:C面位位错转化在轴外晶体中的2英寸SiC晶体生长中的应用
机译:SiC中晶体生长和缺陷形成过程的多层次模拟研究SiC中晶体生长和缺陷形成过程的多层次模拟研究
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:外部静磁场下通过顶晶溶液生长提高SiC晶体生长速率和均匀性的数值研究
机译:外部静态磁场下通过顶播溶液生长改善SiC晶体生长速率和均匀性:数值调查
机译:航空航天陶瓷材料:用于涡轮发动机应用的热,环境屏障涂层和siC / siC陶瓷基复合材料。
机译:生产用于SiC晶体生长的SiC原料的方法和设备
机译:SiC设备和用于SiC晶体生长的方法
机译:NU和PI型NU PI SI SIC钒补偿的SI SIC单晶及其晶体生长过程。
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。