具有热稳定性的Ge／Ni／TiWN／Au与n－GaAs接触性能的研究

摘要

采用Ｇｅ／Ｎｉ／ＴｉＷＮ／Ａｕ多层金属化结构与ｎ－ＧａＡｓ的固－固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经６００℃热处理可获得７．３×１０￣（－７）Ω·ｃｍ的最小接触电阻率，俄歇能谱分析表明ＴｉＷＮ与Ａｕ之间，以及它们与ＧａＡｓ界面之间的互扩散较小，具有良好的热稳定性。