应力对厚30nm的FeCoSiB薄膜影响的微磁模拟

摘要

从微磁学理论出发,建立了单轴应力作用下的等效模型;利用美国国家标准技术协会(NIST)开发的微磁学软件OOMMF,从理论上研究应力对厚30nm的FeCoSiB非晶磁弹性薄膜图形化单元磁畴、剩磁、矫顽力等磁性特性的影响。结果表明,FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁矩分布随应力的变化明显不同;当应力于外磁场方向平行时,薄膜单元的矫顽力和剩磁随张应力的增加而线性增加,随着压应力的增加而线性减小。