Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

摘要

原料采用在Fe(0.03%,质量分数)∶LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf∶Fe∶LN晶体。抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数)∶Fe∶LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数)∶Fe∶LN晶体提高2个数量级以上。以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围。结果表明,Hf∶Fe∶LN晶体全息存储性能优于Fe∶LN晶体。