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李小换; 朱满康; 侯育冬; 王波; 严辉;
北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室;
ZnO薄膜; 射频溅射; 衬底温度; 氧缺陷;
机译:衬底温度对离子镀法制备的Cycro烯烃聚合物衬底上Ga掺杂Zno薄膜结构,电学和光学性能的影响
机译:衬底温度对离子镀法直流电弧放电在玻璃衬底上制备的掺杂Ga的ZnO薄膜的结晶度和电性能的影响
机译:退火温度对真空沉积法在n-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜和Pd / ZnO肖特基接触的性能的影响
机译:添加氧和衬底温度对射频磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜织构生长的影响
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:退火温度对柔性衬底上掺杂Ti-Ga的ZnO薄膜性能的影响
机译:衬底和退火温度对太阳能电池用ZnO和alxZn1-xO薄膜结构的影响
机译:缺陷缺陷GaN模板和ZnO衬底上半导体氮化物沉积及表征的研究
机译:通过在生长温度下将衬底与薄膜分离,消除了外延沉积薄膜中的热失配缺陷
机译:在半导体部件生产中修复光刻掩模上的光影响结构的缺陷的方法包括在缺陷区域中照射镓离子以注入到掩模衬底中
机译:使用氮化物中间层在Si衬底上生长单晶ZnO薄膜的方法
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