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段沛;
湖南教育学院;
位错; 临界切应力; 硅晶体;
机译:Czochralski晶体生长中由于热冲击和Si的临界剪切应力引起的位错行为
机译:临界分辨剪切应力比对商业纯钛寡晶体响应的影响:晶体塑性模拟与实验
机译:用一种(p),两(p,si)和三(p,si,c)金属晶体,非晶软磁合金的结晶X射线衍射和差示扫描量热法。用一种(p),两(p,si,c)金属晶体
机译:Czochralski晶体生长中Si的热冲击和临界剪切应力因脱位的行为
机译:一种半实验模型,以预测粘性土壤侵蚀率,胁迫土壤临界剪切应力的测定,以及干旱和低数据条件下流域侵蚀率的现场预测
机译:通过HVPE从Si衬底上生长的独立式GaN晶体中的应力研究
机译:一种测量熔融高密度聚乙烯(HDPE)的临界剪切应力的方法及临界剪切应力与分子量或分子量分布之间的关系
机译:分散硬化晶体中临界剪切应力和加工硬化的理论
机译:Cu-Ni-Si基铜合金板具有出色的临界值和应力松弛抗力,并且在镀锡后具有令人满意的热剥落性
机译:具有用于产生拉伸应变和压缩应力的具有嵌入式si / ge材料的pmos晶体管的nmos和pmos晶体管的半导体组件及其制造方法
机译:具有嵌入式si / ge材料的pmos晶体管的nmos和pmos晶体管的半导体组件,用于产生拉伸应变和压缩应力
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