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田颖萍; 范洪远; 成靖文;
四川大学制造科学与工程学院;
氮氩气压比; 氮化钛薄膜; 织构; 磁控溅射;
机译:(111)织构TiN膜的直流反应磁控溅射沉积-氮气流量和放电功率对织构形成的影响
机译:通过反应性HiPIMS在MgO(100)上生长的外延和织构TiN薄膜:充电对外延到织构生长交叉的影响
机译:磁控溅射过程中TiN薄膜的生长方式和织构发展-原位同步辐射研究
机译:氧/氩流量比对反应磁控溅射等离子体中TiO 2 inf>薄膜生长的影响
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:通过磁控溅射中氮流量的氮气流量调节的Ti-Zr三元氮化物薄膜的结构组成和等离子体特性
机译:不同氮流量比对反应磁控溅射制备(Hf:N)-DLC薄膜光学性质的影响
机译:离子束辅助沉积法研究mgo薄膜在非晶态衬底上生长过程中的原位双轴织构
机译:在多晶衬底上生长织构氮化镓薄膜和纳米线
机译:在多晶衬底上生长织构氮化镓薄膜
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