首页> 中文期刊> 《固体电子学研究与进展》 >部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低

部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

团队文献服务 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

著录项

来源
《固体电子学研究与进展》 |1991年第4期|307-312|共6页
作者
郑国祥; 周寿通; 屈逢源; 邬建根; 郑凯;
展开▼
作者单位

复旦大学物理系;

上海无线电十七厂;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备 ;
关键词
导体器件; 工艺; Pn结; 反向电流;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. PN结反向饱和电流的实验研究 [J] . 王玉清 . 延安大学学报（自然科学版） . 2010 ,第001期
2. PN结反向电流的温度特性 [J] . 刘蕴涛 . 枣庄师专学报 . 1997 ,第003期
3. PN结反向电流的温度特性与温—频变换器 [J] . 王接枝 . 上饶师专学报 . 1991 ,第002期
4. 改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流 [J] . 朱光华 ,郑国祥 . 半导体技术 . 1996 ,第4期
5. 改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流 [J] . 朱光华 ,郑国祥 . 半导体光电 . 1996 ,第2期
6. PN结反向饱和电流的测量 [C] . 王吉有 ,王炳章 . 第六届全国高等学校物理实验教学研讨会 . 2010
7. SiGe异质结双极晶体管研究——一种平面集成多晶发射极SiGe异质结晶体管部分工艺因素影响的研究 [A] . 赵安邦 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号