Te对Mg_2Si基化合物结构和热电传输性能的影响

摘要

采用固相反应法在 82 3K温度下分别制备出了掺入 0 .1%和 0 .4%Te(摩尔分数 ,下同 )的Mg2 Si化合物 ,并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究。结果表明 :通过对Mg2 Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2 Si基热电材料的整体热电性能。掺入 0 .4%Te试样的优值系数在 5 0 0K时达到 2 .4× 10 - 3W/(m·K2 ) ,比未掺杂的Mg2 Si试样提高了 1.