发光材料、荧光材料

摘要

O482.31 2001021406经Al2O3与SiOx钝化的多孔硅及其光致发光特性=Surface passivation of porous silicon by SiOxand Al2O3 films[刊,中]/刘小兵,史向华（长沙电力学院物理系.湖南,长沙（410077））,熊祖洪,袁帅,廖良生（复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海（200433））//半导体学报.—2000,21（1）.-38-43在一定偏压下用AlCl2+C2H2OH+H2O混合液对多孔硅进行了后处理,经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定。对样品进行了红外吸收谱的测试和分析。图4参19（李瑞琴）