薄膜材料与器件

摘要

O484.1 99042611光助MOCVD生长ZnSe单晶薄膜=Photo—assistedMOCVD growth of ZnSe[刊,中]/赵晓薇,范希武,张吉英,杨宝均,于广友,申德振(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1998,19(2).—186—188用自行组装的光助MOCVD装置生长了高质量的ZnSe薄膜,分析了辐照光强度对薄膜生长和发光特性的影响。图2参5(常唯)O484.1 99042612热丝CVD法制备C—N薄膜的结构分析=Structureanalysis of C—N thin films prepared by hot—filamentCVD[刊,中]/耿东生,杨振江,刘正堂,张贵锋(西北工业大学材料科学与工程系.陕西。