离子束辅助电子束蒸镀H4膜工艺及其抗激光损伤特性研究

摘要

采用等离子体辅助电子束镀膜法制备了钛酸镧(H4)薄膜,研究了基底温度和离子束流密度等工艺条件及高温退火和等离子体后处理技术对H4薄膜的光学特性和表面形貌的影响。实验发现,适当地提高基底温度和离子束流密度可以提高薄膜折射率和薄膜质量。在基底温度为175℃,离子束流密度为120μA/cm^(2)时,薄膜折射率最高为2.70,且退火和等离子体后处理技术可进一步使薄膜质量得到改善。将优化的工艺参数用于980 nm高反射膜的镀制,并与采用Ta_(2)O_(5)、TiO_(2)作为高反射率材料的高反膜进行了比较,在600 MW/cm^(2)的激光作用下,H4高反膜系的抗激光损伤特性最优。