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张路; 霍承松; 马远飞; 马会超; 林泉; 冯德伸;
北京国晶辉红外光学科技有限公司;
北京100088;
有研光电新材料有限责任公司;
河北廊坊065001;
锗单晶; 位错密度; 抛光; 腐蚀; 偏离角度;
机译:通过硅纳米尖端晶片上与图案无关的选择性锗异质外延进行无位错的锗纳米晶体
机译:低位错密度的六方SiC单晶中位错结构的形貌研究
机译:穿线位错密度和介电层对硅衬底上晶片尺寸外延生长的p型锗制成的高空穴迁移率金属半导体场效应晶体管的温度相关电特性的影响
机译:通过多能量单型植入将SIMOX晶片中的位错密度降低
机译:硅锗/硅异质结构中位错/缺陷相互作用的原位透射电子显微镜研究。
机译:通过Si纳米尖端晶片上的与图案无关的选择性Ge异质外延实现无位错的Ge纳米晶体。
机译:通过光谱光致发光成像结合EBsD和位错映射研究多晶硅晶片的缺陷
机译:铁单晶表面抛光产生的位错的正电子湮没研究:第1部分:密度分布和退火去除
机译:半导体晶片的惰性位错观察片以及使用该惰性观察片的半导体晶片的惰性位错观察方法
机译:低位错块状AlN单晶和低位错单晶AlN衬底的生产方法
机译:具有低位错缓冲器的元件的制造方法以及低位错缓冲器
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