双金属源可控制备超薄非层状二维金属硫化物材料

摘要

随着信息技术的不断进步,信息器件朝着高性能、低功耗的方向发展,其中信息材料的特征尺寸也在不断缩小.当传统体相半导体材料的厚度减薄至几纳米量级时,材料表面的悬挂键和缺陷会导致其电学性能大幅下降,进而难以满足器件持续缩小和高度集成的需求.因此,寻求新的低维量子材料并实现变革性器件应用已成为当前材料和信息器件的研究前沿之一.