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敖天宏; 赵江林; 童启夏; 柳聪; 崔大健; 张承;
重庆光电技术研究所,重庆400060;
In_(0.53)Ga_(0.47)As SPAD; 温度特性; 短波红外探测器; 激光雷达;
机译:在盖革模式下工作的In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管中暗计数的起源
机译:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As / InP p-i-n光电二极管的光谱响应特性研究
机译:探索InP纳米粒子的有效光子管理:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As / InP薄膜光电探测器的宽带光吸收增强
机译:金属/Al_2O_3/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP MOSCAP特性可以转换为金属/Al_2O_3/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP MOSFET特性吗?
机译:雪崩光电二极管作为单光子探测器。
机译:单光子计数雪崩光电二极管探测器的后脉冲行为和模型的比较研究
机译:单光子后脉冲行为与模型的比较研究 计算雪崩光电二极管探测器
机译:In(0.6)Ga(0.4)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管与In(0.53)Ga(0.47)as p-i-n光电二极管单片集成的性能特征
机译:使用雪崩光电二极管的单光子探测器,光子数分辨探测器和光子探测方法
机译:优化的雪崩光电二极管(APD)/单光子雪崩光电二极管(SPAD)结构的实现
机译:暗计数率降低的单光子雪崩光电二极管探测器的装置和方法
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