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刘彬; 王如; 何彦刚; 郑晴平; 王帅; 赵群; 谢顺帆;
河北工业大学电子信息工程学院;
天津300130;
天津市电子材料与器件重点实验室;
硅通孔(TSV); 化学机械抛光(CMP); 阻挡层; 去除速率选择比; 表面质量;
机译:氧化物衬里,阻挡层和种子层以及用于3D IC集成的300毫米晶圆上盲孔硅通孔(TSV)的铜镀层
机译:化学镀镍合金作为三维封装中硅通孔的扩散阻挡层
机译:通过自由基辅助表面反应在三维LSI中通过硅通孔在室温下沉积HfNx阻挡层
机译:通过具有原子层沉积阻挡层,种子层和直接镀层的硅通孔进行高深宽比的可靠性测试,以及用于3D集成的电接枝绝缘体,阻挡层和种子层的材料特性表征
机译:三维集成电路中的硅通孔电感:片上应用的建模与设计
机译:基于硅通孔的电容式MEMS传感器3D封装技术研究
机译:氢气逸出导致硅通孔的衬里/阻挡层可靠性下降
机译:硅通孔基极晶体管,适用于高达20 GHz的低相位噪声振荡器应用
机译:硅通孔的阻挡层
机译:钨填充硅通孔的钨阻挡层和晶种
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