GaAs—Ga1-xAlxAs双异质结激光器的深能级荧光《详细摘要》

摘要

＜正＞ 一、实验实验用的激光器是从n-GaAs:Te衬底上生长一个比较厚的缓冲层（10～20μ）然后再进行多层外延生长得到的。典型的数据为N-Ga0.7Al0.3As∶Sn～2μ,P-GaAs∶Si～0.5μ,P-Ga0.7Al0.3As∶Ge～2μ,p-GaAs∶Ge～2μ。实验装置如图〈1〉。红外显微镜将激光器的端面象投影在狭缝上。激光器的结平面在X-Z平面内,狭缝的长轴沿Z方向,PbS探