ZnP2晶体制备

摘要

＜正＞ 一、引言近年来,在GaP,InP,化合物半导体光电器件的制备过程中,闭管扩散有其极大的优越性。（1） 能防止InP,GaP,在扩散温度下大量分解。（2） 可避免外延表面被破坏。（3） 重复性好结深易控制,对获得良好的P—N结有很重要的作用。为了配合InP光电器件的研制,提供优良的扩Zn源材料,我们进行了合成ZnP2晶体制备试验,合成工艺水平布里奇曼法,对合成的晶体进行了X-射线衍射相分析,证实了ZnP2晶锭均