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陈自姚邵永富梁琦彭瑞伍;
中国科学院上海冶金研究所;
机译:GaInAsP / InP双异质结构在室温下的近场发光测量
机译:具有双异质结的ZnO / ZnWO _4 / WO_3纳米复合材料的结构和光电催化特性
机译:氨MBE生长的双异质结AlGaN / GaN / AlGaN HEMT异质结构的光致发光,受激发射,光反射和2DEG特性的研究
机译:俄歇复合对1.3 µm双异质结GaInAsP / InP发光二极管的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:性能提升平面异质结钙钛矿太阳能电池通过调整空穴传输材料的掺杂特性
机译:通过调整空穴传输材料的掺杂特性提高平面异质结钙钛矿太阳能电池的性能
机译:Be-Implanted GaInasp / Inp双异质结激光二极管。
机译:INP / GAINASP双异质激光二极管,包含在双通道基板上的内置封闭式P-N结,具有潜伏的有源层,并且通过单步液相定律生产
机译:INP / GAINASP激光二极管,具有有源层,双通道载体,双壁,内置,含阻挡层-异质结构的P-N过渡以及使用单级流态-垂直方法的制备
机译:INP / GAINASP双异质激光二极管及其生产
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