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陈念贻; 温元凯;
中国科学院上海冶金研究所;
中国科学技术大学;
机译:密度泛函理论从二元氧化物预测三元氧化物形成能的准确性及其对相稳定性的影响
机译:互补金属氧化物半导体中替代栅介质的二元氧化物稳定性的热力学考虑
机译:非晶态过渡金属元素氧化物和二元氧化物以及硫族化物的非晶形态,热稳定性和电子结构
机译:基于二元氧化物的ReRAM的偏置温度不稳定性
机译:二元和三元电解质对锂的界面稳定性以及锂离子在混合氧化物阴极锂铌(1-y)钴(y)氧(2)中的扩散系数。
机译:用石墨烯氧化物和热解硅涂层氮化硼的二元填料杂交复合物的热性能
机译:密度泛函理论预测二元氧化物三元氧化物形成能的准确性及其对相稳定性的影响
机译:基于二元化合物CdO和snO2的复合透明导电氧化物的比较:预印。
机译:通过形成能够形成超介电常数的薄膜的相同方法来改善含钛复合氧化物的表面稳定性和含钛复合氧化物的表面稳定性
机译:二元氧化物膜,二元氧化物/金属络合物,二元氧化物膜和功能性活性物质的制备方法
机译:锂和碲硅酸盐二元玻璃氧化物复合体系和含有该复合体系的导电浆料
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