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陈永兴; 许春芳;
华东师范大学;
机译:用PECVD法制备的具有双介电层(SiO_xN_y-HfO_2)的存储结构的氮化硅氮化物层的技术及应用
机译:纳米压痕技术快速热退火后PECVD氮化硅的力学性能测量
机译:PECVD形成用于CMOS技术的超薄氮化硅层
机译:用PECVD沉积的氮化硅膜在光学性质中的影响和蚀刻PECVD对未冷却微血管仪的影响
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:通过溅射Cu在氮化硅中通过溅射Cu的相结构,耐腐蚀性和抗微生物响应及氮化硅PECVD
机译:远程微波pECVD生长氮化硅的体积和表面钝化
机译:使用PECVD技术在薄膜晶体管(TFT)上将氢化的氨基氮化硅薄层用作膜绝缘体
机译:使用后PECVD沉积UV固化增加氮化硅膜拉伸应力的方法
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