用于0.8～0.9微米波段光通信的最佳N+—P—π—P+硅雪崩光电二极管

摘要

——在分析了雪崩噪声,响应速度和量子效率的基础上,设计了高—低（Hi—Lo）杂质分布的硅雪崩光电二极管。采用双外延片,制作了用于0.8～0.9微米波段范围的最佳结构。精确测得其过剩噪声因子F约为5.6dB（M=100）、峰值量子效率大于90％。