用POCl3作源进行磷处理

摘要

＜正＞ 在以往的低功耗运算放大器中,以及试制P-24电路中经常发现:①单结二次击穿较多,击穿低且漏电大。②重复性差,同一批片子（或同一片上）,单结、双结特性相差很大,β从几到几百,③合金后β比原来磷扩散后大4～5倍,甚至比套刻引线孔后也差数倍。④在P-24电路中,纵向pnp管的BVce（?）低,甚至穿通的相当多。 分析其产生的原因可能是由于Cr+离子抛光的硅片,在抛光后的损伤层很大,一般在1.2μ以上;各次高温工艺也引进了大量缺陷。经过缺陷显示,发现大量的杆状、三角锥、以