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王家源; 苏世民;
机译:氮化铝铜厚膜金属化研究
机译:膜厚对铜金属化过程中原子层沉积的超薄HfO_2和Al_2O_3扩散势垒击穿温度的影响
机译:5nm厚的TaSiC非晶膜在高达750℃的温度下稳定,可作为铜金属化的扩散阻挡层
机译:使用牺牲铜种子将新的低成本厚膜金属化工艺转移到PDMS上
机译:用于ULSI应用的IC金属化系统和铜金属化中电迁移故障的建模和表征。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:在玻璃碳,金,钛和铜上获得硒化铜厚膜在玻璃碳,金,钛和铜上获得硒化铜厚膜
机译:开发用于太阳能电池的全金属厚膜成本有效的金属化系统
机译:微波功率晶体管封装的厚膜铜金属化
机译:包含铜厚膜的用于OLED照明的高频感应加热和热辐射板的铜厚膜沉积装置
机译:基材的铜厚膜制造方法,可通过使用高速蒸发源在陶瓷基材中涂铜厚膜
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