在111硅片上外延出现的图形畸变

摘要

＜正＞近年来在集成电路制造过程中,外延生长是十分重要的工序,通常选择（111）晶面向＜110＞方向偏某一角度的硅单晶,经过切割、磨片、抛光、氧化和光刻形成埋层扩散窗口,进行隐埋扩散。对我厂生产的P-24电视机集成电路、由于要求高β、大电流特性好、纵向PNP晶体管的集电极需要采取自由选择电位。它与一般常规隐埋工艺不同,先要进行锑埋层扩散,还要进行硼埋层扩散,然后用高频感应加