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关于提高超高β晶体管增益的途径的分析和实践

         

摘要

当工艺上采取必要的表面钝化技术使β随集电极电流Ic人的减小下降较小时,如何提高β的最大值(?)max,对超高β晶体管来说,是极为重要的.实践与理论表明,单靠减薄基区厚度既受穿通电压的限制,又不一定能获得超高β.本文指出,当载流子寿命较高时,由于超高β管的基区较薄,β主要由发射结注入效率决定.由于发射区掺杂浓度的提高受重掺杂效应限制,所以降低发射结下基区杂质浓度是提高βmax.极为重要的途径.本文通过分析指出,适当提高集电区材料的电阴率,适当增加集电结结深,均可对提高βmax有利.

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  • 来源
    《半导体技术》 |1980年第5期|9-13|共5页
  • 作者

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    山东临沂半导体器件厂技术科;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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