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4~5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制

         

摘要

利用研制中的硅双极晶体管设计制作了4~5千兆赫频段低噪声晶体管混合集成放大器。实验结果表明,利用这种晶体管制作C波段放大器其性能可满足一定的使用要求。初步结果为:4千兆赫频段两级放大器噪声系数4.5分贝左右,增益10分贝(±1分贝),带宽>500兆赫;5千兆赫频段两级放大器噪声系数6分贝左右。增益10分贝±1分贝),带宽>400兆赫。实验分别是在氧化铝陶瓷衬底和聚四氟乙烯玻璃纤维敷铜板上采用微带电路制作的。

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1976年第1期|9-14|共6页
  • 作者

  • 作者单位

    一四一三研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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