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【2h】

Angular Dependence of InP High Electron Mobility Transistors for Cryogenic Low Noise Amplifiers under a magnetic field

机译：INP高电子迁移率晶体管在磁场下低温低噪声放大器的角度依赖性

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Isabel Hanna Harrysson Rodrigues; David Niepce; Giuseppe Moschetti; Arsalan Pourkabirian; Joel Schleeh; Thilo Bauch; Jan Grahn;
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年度 2019
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1. Roles of low field mobility and its carrier-concentration dependences in high electron mobility transistors and other field effect transistors [J] . Sakaki H., Motohisa J.-I. IEEE Electron Device Letters . 1988,第3期

机译：低场迁移率及其在高电子迁移率晶体管和其他场效应晶体管中的载流子浓度依赖性的作用
2. Ultra-low noise high electron mobility transistors for high-impedance and low-frequency deep cryogenic readout electronics [J] . Dong Q., Liang Y.X., Ferry D., Applied Physics Letters . 2014,第1期

机译：用于高阻抗和低频深低温读出电子设备的超低噪声高电子迁移率晶体管
3. Ultra-low noise high electron mobility transistors for high-impedance and low-frequency deep cryogenic readout electronics [J] . Q. Dong, Y. X. Liang, D. Ferry, Applied Physics Letters . 2014,第1期

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4. Angular Dependence of InP High Electron Mobility Transistors for Cryogenic Low Noise Amplifiers under a magnetic field [C] . Isabel Hanna Harrysson Rodrigues, David Niepce, Giuseppe Moschetti, Compound Semiconductor Week . 2019

机译：磁场下用于低温低噪声放大器的InP高电子迁移率晶体管的角度依赖性
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Effect of Electron Irradiation Fluence on InP-Based High Electron Mobility Transistors [O] . Shuxiang Sun, Peng Ding, Zhi Jin, 2019

机译：电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
7. Cryogenic GaAs high-electron-mobility-transistor amplifier for current noise measurements [O] . Sanghyun Lee, Masayuki Hashisaka, Takafumi Akiho, 2021

机译：低温GaAs高电子 - 移动晶体管放大器，用于电流噪声测量
8. Cryogenic, low-noise high electron mobility transistor amplifiers for the Deep Space Network [R] . Bautista, J. J. 1993

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