退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
郑主惠;
南京晶体管厂一车间;
机译:结边缘场对氧化物隔离结构中辐射引起的泄漏电流的影响以及MOSFET沟道边缘附近的不均匀损伤
机译:圆柱形沟道全能异质结隧道FET的分析漏电流模型
机译:包含短沟道效应的双栅无结场效应晶体管的统一分析漏极电流模型
机译:台面隔离的SiGe异质结双极晶体管中的寄生电流机制和电流应力引起的退化效应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:单元晶体管耦合:用p沟道和n沟道FET记录钾电流的研究
机译:“针孔”是超导隧道结中电流过大的原因吗?高阻结中安德列夫电流的研究
机译:分析der strom-spannungs-Kennlinien von metall-Isolator-Zinntellurid sandwichstrukturen(金属隔离器 - 锡 - 碲化物夹层结构的电压 - 电流特性分析)
机译:异常确定设备,退化确定设备,计算机程序,退化确定方法的原因以及异常确定方法的原因
机译:改善结漏电流特性的器件隔离区形成方法
机译:包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。