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硅单晶电阻率不均匀度的测试误差分析

         

摘要

<正>硅单晶电阻率不均匀度是衡量硅材料质量的一个重要的参数,它对半导体器件生产的稳定性、重复性乃至器件的质量参数指标都有着明显的影响.随着半导体工业的发展,对硅单晶电阻率不均匀度的要求也越来越高.因此,国内外的半导体工作者为提高硅材料电阻率的

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1984年第6期|24-27|共4页
  • 作者

    莫庆时;

  • 作者单位

    广州半导体材料研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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