• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《半导体技术 》 >Ar+通过SiO2层注入吸除二极管阵列的杂质及其分析

Ar+通过SiO2层注入吸除二极管阵列的杂质及其分析

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

本文研究了Ar+从制做器件的硅片背面通过SiO2层注入吸除,提高二极管阵列P-n结击穿电压和减小反向漏电流的吸杂效应.结果表明,对一定厚度的Si02层,吸杂效果是注入离子剂量和注入能量的函数.

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1988年第1期|32-3449|共3页
  • 作者

    齐建华; 李树荣;

  • 作者单位

    天津大学电子工程系;

    天津大学电子工程系;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号