半导体芯片沟道深度非接触性测定仪

摘要

＜正＞萨滕库公司开发了半导体芯片沟道深度非接触性测定仪,使2～8μm的沟道深度能以0.04μm的分解能,在10秒钟内测定.被测圆片直径最大为5英寸.以往沟道深度测定是用扫描电子显微镜,在片子断面直接观察的方法,片于会被破坏.且需在真空中用支架固定,测试时间很长.这种接触性测试仪是利用光的干涉原理,白色光源照射到片子上,来自片于表面和沟道底面的反射光的波面位移,通过米切尔森干涉