首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

文献数据库（团队版） >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.

著录项

来源
《半导体技术》 |1989年第1期|25-2737|共3页
作者
钟雨乐; 赵守安;
展开▼
作者单位

暨南大学电子工程系;

暨南大学电子工程系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MNOS存储晶体管的研制 [J] . 赵守安 ,刘竞云 ,刘涛 . 暨南大学学报：自然科学与医学版 . 1990,第3期
2. 静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究 [J] . 叶常茂 ,卢利清 . 科技视界 . 2018,第20期
3. 多层栅介质层有机薄膜晶体管的存储与光响应特性 [J] . 王伟 ,马东阁 ,高强 . 发光学报 . 2011,第7期
4. 基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计 [J] . 罗贤亮 ,董晨民 ,王永顺 . 电脑知识与技术 . 2010,第9期
5. 研制出一种具有优异存储特性的碳纳米管基铁电场效应晶体管 [J] . . 中国科学院院刊 . 2009,第3期
6. 微波晶体管S参数测量方法 [C] . 郑武团 ,张永顺 ,梁沛坤 . 中国兵工学会第十一届测试技术学术年会 . 2002
7. 相变存储器单元脉冲I-V特性测量方法及分析 [A] . 陈伟 . 2013

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号