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摘要

＜正＞ 它是以金属—氧化物一半导体场效应晶体管为主体构成的集成电路,简称为MOS集成电路。以N型沟道MOS晶体管构成的集成电路,称为N沟MOS集成电路,以P型沟道MOS晶体管构成的集成电路称为P沟MOS集成电路,二者统称单沟MOS电路。 N沟器件的多数载流子是电子,P沟器件的多数载流子是空穴。场效应器件是多数载流子工作的器件,电子比空穴的有效质量小,迁