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盛柏桢;
电子部第五十五研究所;
机译:使用三触点InGaAsP / InP多量子阱分布式反馈激光器显着降低2 Gbit / s伪随机光信号的动态波长chi
机译:在INAS / GAAS / INGAASP QD激光器的高特色温度,发射波长在INP衬底上的发射波长为1.5μm
机译:InGaAsP / InP光电二极管:在1.0至1.3 µm波长处的微等离子体限制的雪崩倍增
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:混合模式锁定INGAASP / INP MQW激光器作为WDM的多波长源
机译:采用相同层方法的单片集成InGaasp / Inp激光器/调制器,用于光电子振荡器
机译:基于InP衬底的热导率提高外延InGaAsP激光器中目标波长的激光产量的方法
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
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