首页> 中文期刊> 《半导体技术 》 >InP光电器件——长波长InGaAsP激光器发展动态

InP光电器件——长波长InGaAsP激光器发展动态

         

摘要

本文主要叙述InP光电器件——长波长InGaAsP激光器的材料选择、制造工艺、器件性能及其应用简况。

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1986年第3期|52-55|共4页
  • 作者

    盛柏桢;

  • 作者单位

    电子部第五十五研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号