制备均匀半绝缘GaAs单晶新工艺As注入熔体法（AI-LEC法）

摘要

＜正＞日立公司最近研究出一种制备均匀半绝缘GaAs单晶的新方法.方法是在一般LEC拉晶装置的坩埚上方装一个石英储As器,储As器外绕辅助加热器,加热器和储As器均可上、下移动将大约1公斤的Ga、As混合物置于坩埚内,高压原位直接合成GaAs后,立即将储As器中As（30～50g）徐徐注入GaAs熔体,直至拉晶过程结束.这种方法可使拉晶过程中熔体组成保持化学计量比（0.497～0.501）.最后获得的结果是: