PtSi-Si（P）肖特基势垒探测器的红外响应机理探讨

摘要

外加偏压的PtSi肖特基势垒二极管（SBD）对入射的IR光有响应,该响应是由于IR光在PtSi膜中产生热空穴,其中一部分越过PtSi-Si界面的SB进入Si中而产生的结果。设PtSi中产生的空穴在PtSi中为多次反射,并预想有一多次反射模型,由此研究热空穴从SB进入Si的传输机理。再由该模型计算产生的热空穴数。最后论述IR探测灵敏度与PtSi膜厚度、表面膜材料选取的关系及3～5μmIR区的响应特性和实验结果。