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GaInAsP/InP DH激光器的温敏性

     

摘要

<正> 一、前言半导体激光器的阈值温度关系一般可表示为Ith(T)=Ith(T′)exp[(T-T′)/T0] (1) 其中T0为特征温度,表示激光器的阀值电流对温度的敏感性。GaAlAs/GaAs DH激光器在室温附近T0≥120°K,而GaIn AsP/InP DH激光器在室温附近为50—70°K,当温度高于340°K时,T0≈30°K。小

著录项

  • 来源
    《半导体光电》|1985年第3期|1-7|共7页
  • 作者

    张玉书石家纬;

  • 作者单位

    吉林大学;

    吉林大学;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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