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张玉书石家纬;
吉林大学;
机译:熔回法制成的埋藏式GaInAsP / InP DH激光器的工作特性
机译:极低的阈值电流密度1.3 / spl mu / m InAsP / InP / InGaP / InP / GaInAsP应变补偿多量子阱激光器
机译:压缩应变的1.3μmInAsP / InP和GaInAsP / InP多量子阱激光器用于高速并行数据传输系统
机译:降低i-GaInAsP / p-InP的谱带不连续性以提高1.55 / spl mu / m GaInAsP / InP表面发射激光器的性能
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:使用温育的敏化淋巴结细胞上清液在Lewis大鼠中转移实验性变应性脑脊髓炎
机译:用于1.5m工作的GaInasp / Inp垂直腔面发射激光器
机译:在GaInasp / Inp质子轰击条纹几何DH激光器中获得光谱
机译:台面GaInAsP / InP分布式反馈激光器的制造工艺
机译:低漏电流GaInAsP / InP埋层异质结构激光器及其制造方法
机译:GaInAsP / InP分布式反馈激光器
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