反应蒸发法制作不掺杂In2O3透明导电薄膜

摘要

用反应蒸发技术制作不掺杂ln2O3薄膜,薄膜厚度为1500～2000A、方块电阻为60～200Ω/□、透光率为80～94%（波长λ=600nm）。本文讨论了蒸发过程中氧气充入量和蒸发时间对薄膜的光电特性的影响,说明低蒸发速率和限制氧气流量是获得优质薄膜的关键。该技术制备的薄膜样品已在摄象管制造中进行了试用。