64K DRAM多晶硅条宽控制及高选择性技术

摘要

＜正＞ 一、引言64K DRAM-CM4864（64K动态随机存贮器）是目前国内集成度最高、线条最窄的超大规模集成电路（VLSJ）。在芯片面积为（3.93×7.56）mm~2上集成了15万多个元件。它采用了双层多晶硅结构、SiO2/Si3N4/SO2复合栅工艺、PSG（磷硅玻璃）平坦化技术。其场氧层厚度为9500（?）、一次多晶厚度为5000（?）、二次多晶厚度为3800（?）、PSG厚度为12000（?）、Al-Si（Si含量为1.2%）厚度为10000～11000（?）。在所有这些高低不平的